据财联社报道，最近，功率控制用半导体的开发取得了进展，这种半导体被称为“终极功率半导体”，使用了钻石。日本佐贺大学的嘉树教授与日本精密零件制造商Orbray合作，开发了一种由钻石制成的功率半导体，其运行功率为每平方厘米875 MW。
在现有的金刚石半导体中，这种功率半导体的输出功率是世界上最高的，在所有半导体中仅次于约2090 MW的氮化镓产品。与作为新一代功率半导体的碳化硅产品和氮化镓(GaN)产品相比，金刚石半导体具有优异的耐高压性能，功率损耗被认为降低到硅产品的五分之一。
金刚石功率半导体耐热和抗辐射能力也很强，有望在2050年左右成为人造卫星的必备部件。
金刚石材料具有载流子迁移率高、载流子饱和漂移率高、击穿电场强的特点，是制造大功率、高温、高频器件的理想材料。由于金刚石半导体器件具有宽禁带、高热导率、强击穿场和极高的电荷迁移率，可以在高频、大功率、高电压、强辐射等非常恶劣的环境下工作，被称为“终极半导体材料”。
据IT之家了解，全球天然钻石年产量约为1.5亿克拉，而合成钻石年产量超过200亿克拉，其中95%来自中国大陆。
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